手持投影机低电压、低功耗，便于随身携带，散热设计时要考虑到人体可接触温度这一安全性因素。IEC 60065和IEC 60950安全规范标准对于人体最高可接触温度的限值规定不同，文章例举实验测试数据，分别依据这两种安全规范标准对温度测试实验结果进行判定，对手持投影机申请CE认证采用哪种安全规范标准符合声明提供建议。

近年来国内拼接墙的应用需求日益增长，而得益于"无缝拼接"技术的DLP拼接产品一直是业界的霸主。然而随着LCD、PDP拼接产品的强势崛起，DLP拼接产品受到了前所未有的挑战。由于光源寿命的问题，DLP拼接产品后期维护成本较高，这成了DLP拼接发展的巨大瓶颈。然而LED光源和混合光源这些新光源的出现，以其超长寿命和超宽色域等优点，结合DLP拼接产品原本的零拼缝优势，使其继续在数字拼接市场独占鳌头。

2008年7月份，在TFT-LCD制品Array生产中，Array Tester检查发现，Drain Layer成膜前洗净设备与Data Line Open(D断)存在设备间的差异。经确认，此类D断存在共同特征即缺失处形状类似刷毛。文章旨在对此现象进行验证，以进行有效对策。

文章以扫描电镜（SEM）在TFT-LCD中的应用为题，介绍了扫描电镜的原理、构造，并通过实验数据分析对TFT-LCD生产中相关缺陷的产生原因进行调查。

Al2O3、ZrO2、Ta2O5和La2O3薄膜在栅介质、无机EL介质和光学薄膜方面有着重要用途，但对其复合薄膜介电性能方面的研究很少。文章采用电子束共蒸发法制备了厚度分别为414nm和143nm的Al2O3-La2O3（ALO）和ZrO2-Ta2O5（ZTO）复合薄膜，用Sawyer-Tower电路测得介电常数分别为17和34，反映介电损耗的参数△Vy分别为0.013V和0.56V，击穿场强分别为128MV/m和175MV/m，在50MV/m场强下，ALO的正、反向漏电流密度分别为3.1×10-5A/cm2和4.1×10-5A/cm2，ZTO的正、反向漏电流密度分别为3.9×10-5A/cm2和3.7×10-5A/cm2。另外，实验还与电子束蒸发和反应溅射制备的Al2O3、ZrO2、Ta2O5的介电性能做了比较，结果表明，上述复合薄膜单独作为无机EL绝缘层是不合适的。

ACF作为一种实装材料，可以方便地实现精细电极的导通连接。其原理是通过加热、加压、树脂受热固化、ACF中的导电粒子连接上下电极，从而实现电极固定和电极导通。实际上受ACF成份的影响，每种ACF的特性都不一样，而在生产应用中，温度、压力、时间、位置、辅助材料等因素又会对连接的效果产生影响。为了确保ACF适用于厂内的工艺，把ACF的应用风险降低。评价一种ACF的过程，通常分为单体评价、工艺评价和产品评价。文中将以屏侧ACF为例，讨论ACF工艺评价的方法。

介绍了切割TFT-LCD薄型玻璃基板的高渗透刀轮和切断的基本概念，以及刀轮角度、切断压力、押入量和切断速度工艺参数对切断效果的影响。采用115?和125?两种不同角度的刀轮在切断速度400mm／s,刀轮押入量0．2mrn的条件下进行切割，115?形成的垂直裂纹比125?要深；当其他条件一定时，垂直裂纹随切断压力的增大而增大。随押入量和切断速度的变化不大。

从生产角度研究了TFT-LCD成盒工程中配向不良发生的原因，通过对TFT基板、PI液的调查，通过对彩膜基板色层断差、角断差等的量测明确了角断差对此不良的影响，分别在摩擦工程、本硬化工程对这项不良进行改善，结果表明本硬化工程工艺条件的改进对改善该不良有明显效果．并通过一组实验得到最优化本硬化条件，最终改善了该不良。

以化学蚀刻薄化技术为课题,介绍了化学蚀刻的原理、方式;TFT-LCD液晶面板经过HF溶液化学蚀刻后,原来的单片玻璃厚度从0.7mm减薄至0.5mm厚度,薄化后的液晶面板经后段生产组装成LCM模块,经过各项可靠性分析来验证产品可能出现的问题,为TFT-LCD生产中的化学蚀刻薄化技术提供参考。文章主要探讨了TFT-LCD薄板化生产,包括化学蚀刻方式、产品的性质,产品的可靠性项目等。

从分析直下式LED背光的基础结构入手,对传统的矩阵LED背光布局方式进行数学建模。针对该布局方式的缺点,提出了一种新型的正三角阵LED背光布局模型,通过对比分析,证明该模型能够有效减小混光“盲区”比例,提高均匀性。通过Lighttools仿真软件证明了该新型结构的有效性:当灯腔高度为20 mm时,新型正三角阵结构的均匀性为90.79%,相比于传统矩阵结构的88.77%,提升幅度达到2%;在LED间距较密的情况下,新型正三角阵结构的均匀性相比传统结构而言优势并不明显,仅有不到1%的提升;随着灯腔高度的提升,新型正三角阵结构相比传统结构的优势逐渐缩小,当达到24 mm时,均匀性的提升仅有0.3%。